
지난 포스팅에서 소수캐리어 분포를 정성적으로 간단히 이해했습니다. 이번 포스팅에서는 수식을 이용하여 정량적으로 이해해보겠습니다. 먼저 평형상태의 캐리어 분포를 보고 경계조건을 구해보도록 하겠습니다. PN접합 다이오드에서 평형상태에 형성된 Built-in Voltage의 표현식은 아래와 같습니다. 그리고 xp0와 xn0에서 전압의 크기 차이를 구하면 Built-in Voltage값을 얻어도 같은 값이 나옴을 알 수 있습니다. 위 식에서 xn0와 -xp0에서 전자 농도를 구해보면 아래와 같이 얻을 수 있습니다. 그리고 위 식에 대입하여 풀어주면 거리라는 변수 x에 따른 평형상태의 전자의 농도를 구할 수 있습니다. 즉, 위 식의 의미는 P-type반도체에서 소수캐리어인 전자농도와 N-type반도체에서 전자농도..
전자공학/반도체
2019. 11. 6. 13:40
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