전자형

이번 포스팅에서는 High-K Metal Gate 방법을 이용하여 반도체 소자 Scaling Issue를 극복한 기술을 소개하겠습니다. High-K Metal Gate는 HKMG라고도 부르며, 유전율이 높은 금속을 SiO2를 대신하여 사용합니다. 이러한 배경에는 Scaling과 밀접한 연관이 있습니다. 아래 그래프를 살펴보도록 하겠습니다. 공정기술이 발달함에 따라 350nm공정에서 90nm 진행함에따라서 그 때 SiO2의 두께는 점점 그에맞게 얇아지고 있습니다. 하지만 더 높은 공정기술이 나옴에 따라 SiO2의 두께는 얇아져 Tunneling Isuue에 취약해집니다. 즉, 이러한 Tunneling으로 인해 Gate쪽으로 전자들이 누설되고 이로인해 Break Down현상이 일어납니다. 의도하지 않은 전력..