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이동도 (3)
26강. Strained Silicon

이번 포스팅은 현대반도체에서 Scaling을 통한 과정에서 소자에 새로운 아이디어를 통해 Issue를 극복한 기술들에대해 소개하겠습니다. 그 첫번째로 Strained Silicon입니다. 이를 설명드리기 위해 캐리어들의 이동도(Mobility)에 대해서 먼저 설명드리겠습니다. nMOS에서는 전자가 채널을 통해, pMOS에서는 정공이 채널을 통해 이동합니다. 그렇다면 전자와 정공의 Mobility는 다른데, 어떻게 이러한 속도를 맞춰주어 사용할 수 있을까요? 해답은 바로 전류식에 있습니다. 위 식에서 보면 차이가 나는 부분은 바로 이동도(Mobility)뿐입니다. 그렇다면 Ids는 nMOS에서 더 크게 되는데 pMOS에서 이러한 전류값을 맞춰주기위해서는 폭을 늘려주어야합니다. 즉, pMOS의 폭이 더 크게..

전자공학/반도체 2019. 11. 21. 12:43
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