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전자공학/반도체 (25)
17강. MOS Capacitor - Oxide Charge와 Poly-Si Gate Depletion

이번 포스팅에서는 MOS Capacitor의 Oxide Charge 그리고 Gate를 Poly Silicon으로 바꿨을 때, C-V특성곡선이 어떻게 바뀌는지 알아보겠습니다. 1. MOS Capacitor의 Oxide Charge 위 그림은 Flat Band Voltage를 인가했을 때 이상적인 MOS구조의 에너지 밴드 다이어그램입니다. 이때는 Oxide층의 전하(Charge)가 없는 이상적인 구조이므로 에너지 밴드가 평평하게 펴져있습니다. 하지만 Oxide층의 전하를 고려한다면 어떤변화가 있을까요? Oxide층의 전하를 고려하면 아래와같이 반도체 표면쪽에서 potential이 감소한 모습을 보입니다. 그리고 Fermi Level또한 qVfb만큼의 에너지 준위차이를 보입니다. 이때의 Flatband Vol..

전자공학/반도체 2019. 11. 12. 12:26
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